Enerji tasarrufu Transistor İndüksiyon Erime Sistemi Yüksek verimlilik

Çin transistör orta frekanslı indüksiyonlu erime fırını sistemi (üçüncü nesil) yeni IGBT çift ünitesi ile

                             Çin enerji tasarruflu yüksek verimlilikli transistör endüksiyonlu erime fırını sistemi

Yeni nesil IGBT çift ünite modülü frekanslı elektrikli fırın şu anda en enerji tasarruflu orta frekanslı fırın olarak onaylanmıştır.Thyristor tipi seri bağlantılı fırına göre % 5 daha fazla güç tüketimini tasarruf edebilir, çünkü thyristor tersine çeviren elektrik fırının içindeki akım komuta edici indüktörü reddeder..

Huarui'nin IGBT modülü orta frekanslı elektrikli fırını için, bir sürücü kartı bir modülü çalıştırır.Güvenilirliğinin geçmiş tek boru IGBT orta frekanslı fırınlardan çok daha yüksek olmasını sağlamak. kısa devre, çakma, çelik penetrasyon veya yanma nedeniyle su kablosu kırılma fırına olursa bile, IGBT daha fazla hasar göremez.Eski tek transistör tipindeki tüm IGBT modüllerinin bir parçası hasar görürse hasar gördüğü sorunu çözmek , bu yüzden bakım maliyetlerini büyük ölçüde azaltır.

Yüksek dayanıklılık, düşük çalışma gürültüsü, yüksek aşırı yük kapasitesi, çalışma ortamı için özel gereksinimler, basit çalışma ve düşük bakım maliyeti gibi birçok avantajına sahiptir.

Teknik Özellikler

1.IGBT, güç transistörü (GTR) ve güç etkisi transistörü (MOSFET) kompleksidir, GTR ve SFT'nin avantajlarını birleştirir, bu nedenle mükemmel bir performansı vardır.

2.IGBT orta frekanslı güç kaynağı ünitesi, kondansatörün indüktörü seri bağlantılı şekilde bağladığı bir devre türünü benimser. Frekans inverteri ve güç düzenleme modu nedeniyle,Düzleyici köprüsü 0'dan fazla bir güç faktörü ile kontrolsüz bir durumda..97 ve fonksiyonlar düşük.

3Thyristor ile karşılaştırıldığında, IGBT transistörü sadece iletkenliği kontrol etmekle kalmaz, aynı zamanda isteklerine göre kapatma eylemini de kontrol edebilir.Thyristor pasif olarak kapatılmalı ve bu eylemin tamamlanması için zamana ihtiyaç duyulmalıdır., bu, IGBT transistör tipi inverter güç faktörünü çok daha yüksek (≥ 97%) ve fırın voltajını aynı giriş voltajı altında da çok daha yüksek yapar ((380V) ve IGBT inverter voltajı yaklaşık 2800V'dir,Bununla birlikte geleneksel tiristorların inverter voltajı sadece 750V ve maksimum 800V'dir., bu nedenle inverter voltajı tiristor tipinden dört kat daha yüksektir, ayrıca kablo hattı kaybı düşüktür ve% 15 enerji tasarrufu sağlanabilir.

4Geleneksel tiristor ile karşılaştırıldığında, sabit güç çıkışı, IGBT orta frekanslı güç kaynağı frekansı ve güç inverteri sisteminin bir diğer önemli avantajıdır.Yaklaşık sabit güç çıkışı, fırının içindeki hammaddenin miktarına veya fırın kaplama duvarının kalınlığına etki etmeden tüm erime süreci boyunca korunur.. Geleneksel tiristor orta frekanslı güç kaynağı sistemi için, ısıtma süreci manyetik endüksiyon hacmi değişiminden etkilenir. Başlangıçta, erime gücü o kadar düşüktür ki erime hızı hızlı değildir.Thyristor güç kaynağının gücü erime süresine ve manyetik indüksiyon hacmine göre değişir, güç yavaş yavaş düşük değerden yüksek değere yükselir, transformatörün kapasite kullanımını azaltır ve üretim maliyetlerini arttırır. Bu bakış açısından, IGBT tipi enerjiyi %3 ila %5 oranında tasarruf edebilir.

Teknik veriler:

Endüksiyon erime fırını güç kaynağı, tiristor seri bağlantılı inverter orta frekanslı güç kaynağı, bir güç kaynağı dolabı iki fırını çalıştırır

Aksesuar Avantaj:

Yeni nesil IGBT orta frekanslı fırın teknolojisi, şirketimizin 2017'den beri araştırma ve geliştirmeye adanmış olduğu bir tür kontrol teknolojisidir.Uluslararası önde gelen düzeydeBu teknoloji, Infineon'un beşinci nesil IGBT modülü temelinde geliştirildi ve çağdaş bir öneme sahiptir.